三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

据首尔经济日报10月18日的报道，三星电子计划采用全球最大晶圆代工企业台积电的制造技术，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）的关键部件——基底裸片（base die）。此前，三星提供的所有HBM产品中，作为存储芯片核心的核心裸片（core die）和作为系统半导体的基底裸片，均由三星自行制造。但现在，三星决定遵循英伟达的技术要求，对HBM的一站式全包生产模式进行调整。

业内消息人士18日透露，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：使用台积电的3纳米工艺来制造基底裸片。同时，英伟达还要求核心裸片统一采用代号为1c的第六代DRAM技术。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。

从报道中获悉，英伟达提出这一要求的原因是，各家HBM供应商的制造方案各不相同，难以基于同一设计实现稳定一致的性能。标准化也有助于减少针对每家供应商单独进行产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估后，决定接受英伟达的要求。

报道指出，对于标准HBM产品，三星仍将保留一站式全包生产策略。今年，三星在全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片都采用三星自研的4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城和平泽厂区的1c产线生产。

面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。同时，三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示：“三星正在验证，能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片。这是一项预案，防止NVHBM需求超出台积电产能上限。” 在这一过程中，亚博娱乐官网也关注到技术合作的重要性。